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詳情內(nèi)容 CS150M電化學(xué)工作站
組合測(cè)試，便于無人值守；腳本化測(cè)試，可創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)方案；自帶數(shù)據(jù)分析工具，人機(jī)交互友好；數(shù)據(jù)儲(chǔ)存無限制。
● 多種功能方法，包含OCP，恒電位，恒電流，極化曲線，CV，LSV等；
● 應(yīng)用領(lǐng)域廣，性價(jià)比高，電催化測(cè)試優(yōu)勢(shì)顯著；
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V
● 電流控制范圍：±2.0A
● 電位分辨率：10μV，電流分辨率：1pA（可延伸至100fA）
● 應(yīng)用領(lǐng)域廣，性價(jià)比高，電催化測(cè)試優(yōu)勢(shì)顯著；
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V
● 電流控制范圍：±2.0A
● 電位分辨率：10μV，電流分辨率：1pA（可延伸至100fA）
產(chǎn)品介紹
CS電化學(xué)工作站采用全浮地式設(shè)計(jì)，具有出色的穩(wěn)定性和..度，先進(jìn)的硬件和功能完善的軟件，為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科研平臺(tái)。
應(yīng)用
（1）能源材料（鋰離子電池、太陽能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等）、先進(jìn)功能材料以及傳感器的性能研究；
應(yīng)用
（1）能源材料（鋰離子電池、太陽能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等）、先進(jìn)功能材料以及傳感器的性能研究；
（2）電化學(xué)分析研究；
（3）電合成、電沉積（電鍍）、陽極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；
(4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。
硬件特點(diǎn)
● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器
● 內(nèi)置FRA頻響分析儀，頻率范圍 10μHz ~1MHz（3）電合成、電沉積（電鍍）、陽極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；
(4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。
硬件特點(diǎn)
● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器
● 高帶寬高輸入阻抗的放大器
● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
● 高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V
● 電流控制范圍：±2.0A
● 電位分辨率：10μV，電流分辨率：1pA（可延伸至100fA）
① 數(shù)據(jù)分析
伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算，計(jì)算各氧化還原峰的峰電流、峰電位和峰面積等；
極化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析，計(jì)算Tafel斜率ba，bc，腐蝕電流密度icorr，極限擴(kuò)散電流、極化電阻Rp和腐蝕速率等，還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算功率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。
② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)
CS Studio實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù)，即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷，中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。
③ 定時(shí)測(cè)量
CS Studio測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量功能， 對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí)，可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間，讓儀器在無人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量，為實(shí)驗(yàn)提供方便。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
①極化曲線
具有線性極化和Tafel極化曲線測(cè)量功能，用戶可設(shè)定循環(huán)極化曲線的陽極回掃電流（鈍化膜擊穿電流），來確定材料的點(diǎn)蝕電位和保護(hù)電位，評(píng)價(jià)晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線性擬合算法解析極化曲線，可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評(píng)價(jià)。
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② 伏安分析
能完成線性掃描伏安（LSV）、循環(huán)伏安（CV）等電分析方法，集成峰面積、峰電流計(jì)算和標(biāo)準(zhǔn)曲線分析功能。
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聚吡咯超級(jí)電容器 在0.5 mol/L H2SO4溶液中的CV曲線 鉑電極在 K4[Fe(CN)6]+ KCl溶液中的CV 曲線
③ 電化學(xué)噪聲
采用高阻跟隨器和零阻電流計(jì)測(cè)量腐蝕體系自發(fā)的電位與 電流波動(dòng)，可用于點(diǎn)蝕、電偶腐蝕、縫隙腐蝕和應(yīng)力腐蝕開裂 等局部腐蝕研究。通過噪聲譜分析，可評(píng)估亞穩(wěn)態(tài)蝕點(diǎn)或裂紋的誘導(dǎo)、生長和死亡過程?；谠肼曤娮韬忘c(diǎn)蝕指數(shù)計(jì)算，也可用于局部腐蝕監(jiān)測(cè)。
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④全浮地模式
CS系列電化學(xué)工作站采用全浮地式工作電極，可用于工作電極本身接地體系的電化學(xué)研究，如用于高壓釜電化學(xué)測(cè)試（釜體接地），大地中金屬構(gòu)件（橋梁、混凝土鋼筋）的在線腐蝕研究等。
⑤正反饋IR補(bǔ)償
⑤正反饋IR補(bǔ)償
啟動(dòng)IR補(bǔ)償后，電化學(xué)工作站會(huì)增加一個(gè)額外模擬反饋路徑，通過測(cè)量電解池電流，啟用正反饋補(bǔ)償，硬件電路增加反饋信號(hào)，自動(dòng)對(duì)Rs上的壓降進(jìn)行補(bǔ)償。
⑥自定義方法
支持用戶自定義組合測(cè)量，用戶可以設(shè)定定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測(cè)試方法或多種方法的組合測(cè)試，用于無人值守下的定時(shí)自動(dòng)測(cè)量；
提供API通用接口函數(shù)和開發(fā)實(shí)例，方便用戶二次開發(fā)和自定義測(cè)試方法；
提供用戶自定義腳本編寫范例，用于實(shí)現(xiàn)您獨(dú)特的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)。
支持用戶自定義組合測(cè)量，用戶可以設(shè)定定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測(cè)試方法或多種方法的組合測(cè)試，用于無人值守下的定時(shí)自動(dòng)測(cè)量；
提供API通用接口函數(shù)和開發(fā)實(shí)例，方便用戶二次開發(fā)和自定義測(cè)試方法；
提供用戶自定義腳本編寫范例，用于實(shí)現(xiàn)您獨(dú)特的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)。
技術(shù)指標(biāo)
硬件參數(shù)指標(biāo)
| 恒電位控制范圍：±10V | 恒電流控制范圍：±2.0A |
| 電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV | 電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù) |
| 電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) | 電流靈敏度：1pA |
| 電位上升時(shí)間：﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) | 電流量程：2nA～2A, 共10檔 |
| 參比電極輸入阻抗：1012Ω||20pF | .大輸出電流：2.0A |
| 槽壓輸出：±21V | 電流掃描增量：1mA @1A/mS |
| CV和LSV掃描速度：0.001mV～10000V/s | 電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS |
| CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s | DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s |
| SWV頻率：0.001～100KHz | CV的.小電位增量：0.020mV |
| AD數(shù)據(jù)采集：16bit@3.6MHz，20bit @1KHz | 電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置 |
| DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS | 低通濾波器 ：8段可編程 |
| 通訊接口：USB2.0、RJ45網(wǎng)口 | 儀器重量：7.6Kg |
| 外形尺寸（cm）：36.4(W)*32.0(D)*13.8(H) |
配置
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2) CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個(gè)
4）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
5）電極電纜線1條
6）電腦（選配*）
2) CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個(gè)
4）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
5）電極電纜線1條
6）電腦（選配*）
功能方法
CS單通道系列不同型號(hào)功能方法比較
| 功能方法 | CS150M | CS300M | CS310M | CS350M | |
| 穩(wěn)態(tài)極化 | 開路電位（OCP） | ● | ● | ● | ● |
| 恒電位極化（i-t曲線） | ● | ● | ● | ● | |
| 恒電流極化 | ● | ● | ● | ● | |
| 動(dòng)電位掃描（Tafel曲線） | ● | ● | ● | ● | |
| 動(dòng)電流掃描（DGP） | ● | ● | ● | ● | |
| 電位掃描-階躍 | ● | ||||
| 暫態(tài)極化 | 任意恒電位階梯波 | ● | ● | ● | ● |
| 任意恒電流階梯波 | ● | ● | ● | ● | |
| 恒電位階躍（VSTEP） | ● | ● | ● | ● | |
| 恒電流階躍（ISTEP） | ● | ● | ● | ● | |
| 計(jì)時(shí)分析 | 計(jì)時(shí)電位法（CP） | ● | ● | ● | ● |
| 計(jì)時(shí)電流法（CA） | ● | ● | ● | ● | |
| 計(jì)時(shí)電量法（CC） | ● | ● | ● | ● | |
| 伏安分析 | 線性掃描伏安（LSV） | ● | ● | ● | ● |
| 線性循環(huán)伏安（CV） | ● | ● | ● | ● | |
| 階梯循環(huán)伏安（SCV） | ● | ● | |||
| 方波伏安（SWV） | ● | ● | |||
| 差分脈沖伏安（DPV） | ● | ● | |||
| 常規(guī)脈沖伏安（NPV） | ● | ● | |||
| 差分常規(guī)脈沖伏安（DNPV） | ● | ● | |||
| 交流伏安（ACV） | ● | ● | |||
| 二次諧波交流伏安（SHACV） | ● | ● | |||
| 傅里葉變換交流伏安（FTACV） | ● | ● | |||
| 電流檢測(cè) | 差分脈沖電流檢測(cè)（DPA） | ● | |||
| 雙差分脈沖電流檢測(cè)（DDPA） | ● | ||||
| 三脈沖電流檢測(cè)（TPA） | ● | ||||
| 積分脈沖電流檢測(cè)（IPAD） | ● | ||||
| 溶出伏安 | 電位溶出分析（PSA） | ● | ● | ||
| 線性掃描溶出伏安（LSSV） | ● | ● | |||
| 階梯溶出伏安（SCSV） | ● | ● | |||
| 方波溶出伏安（SWSV） | ● | ● | |||
| 差分脈沖溶出伏安（DPSV） | ● | ● | |||
| 常規(guī)脈沖溶出伏安（NPSV） | ● | ● | |||
| 差分常規(guī)脈沖溶出伏安（DNPSV） | ● | ● | |||
| 交流阻抗 | 阻抗-頻率掃描 | ● | ● | ||
| 阻抗-時(shí)間掃描 | ● | ● | |||
| 阻抗-電位掃描（Mott-Schottky 曲線） | ● | ● | |||
| 恒電流阻抗測(cè)試 | ● | ● | |||
| 充放電測(cè)試 | 電池充放電 | ● | ● | ● | ● |
| 恒電流充放電（GCD） | ● | ● | ● | ● | |
| 恒電位充放電 | ● | ● | ● | ● | |
| 恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT） | ● | ● | ● | ● | |
| 恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT） | ● | ● | ● | ● | |
| 雙恒測(cè)量 | 氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT） | ● | ● | ● | ● |
| 盤環(huán)電極測(cè)試 | ● | ● | ● | ● | |
| 擴(kuò)展測(cè)量 | 電化學(xué)噪聲（EN） | ● | ● | ● | ● |
| 電偶腐蝕測(cè)量（ZRA） | ● | ● | ● | ● | |
| 電化學(xué)溶解/沉積 | ● | ● | ● | ● | |
| 控制電位電解庫倫法（BE） | ● | ● | ● | ● | |
| 動(dòng)電位再活化法（EPR） | ● | ● | ● | ● | |
| 溶液電阻測(cè)量 | ● | ● | ● | ● | |
| 循環(huán)極化曲線（CPP） | ● | ● | ● | ● | |
注：*氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤環(huán)電極測(cè)試需配置CS1002恒電位/恒電流儀或采用CS2350H雙恒電位儀。
*產(chǎn)品3年質(zhì)保。
